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Nasdaq y S&P 500 cierran en máximos históricos por cuarto día con impulso de tecnológicas

Caroline Valetkevitch
Se actualizó el ·2  min de lectura

Por Caroline Valetkevitch

NUEVA YORK, 13 jun (Reuters) -Los índices S&P 500 y Nasdaq registraron máximos históricos de cierre por cuarta sesión consecutiva el jueves, porque las acciones tecnológicas prolongaban su reciente repunte.

* El número de estadounidenses que presentaron nuevas solicitudes de subsidio de desempleo aumentó la semana pasada, a su nivel más alto en 10 meses, y otro informe mostró que los datos de inflación al productor cayeron inesperadamente en mayo y avivaron las expectativas de recortes de las tasas de interés de la Reserva Federal.

* El miércoles, la Fed apuntó que preveía un único recorte de tasas este año, después de que en marzo sus perspectivas incluyeron tres reducciones de un cuarto de punto porcentual.

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* Tanto el sector tecnológico del S&P 500 como un índice de semiconductores subieron con fuerza.

* Según datos de cierre preliminares, el S&P 500 ganó 1,94 puntos, o un 0,22%, a 5.432,97 unidades; y el Nasdaq Composite avanzó 59,12 puntos, o un 0,34%, hasta 17.667,56. Por su parte el Promedio Industrial Dow Jones bajó 70,48 puntos, un 0,19%, a 38.639,92 unidades.

* "Los rendimientos están bajando un poco más, pero sigue habiendo mucha tecnología", señaló Paul Nolte, asesor de patrimonio y estratega de mercado de Murphy & Sylvest en Elmhurst, Illinois.

* "Cuando se observa el mercado en general, no se ve la participación que uno quisiera ver de un mercado más sano", añadió.

* Las acciones de Broadcom , componente del Nasdaq, se dispararon hasta alcanzar un máximo histórico después de que el fabricante de chips elevó sus previsiones de ingresos por semiconductores utilizados en la tecnología de inteligencia artificial (IA). También anunció un desdoblamiento de acciones de 10 por 1.

* El líder del mercado de chips de IA, Nvidia, también avanzó.

* Por su parte el rendimiento del bono del Tesoro a 10 años siguió bajando el jueves.

(Editado en español por Manuel Farias y Aida Peláez-Fernández)